Наш сайт использует cookies и Яндекс Метрику.
Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
06 августа 2026 Кремний, подвинься: в России разработали технологию транзисторов толщиной 0,65 нмУченые Московского физико-технического института (МФТИ) разработали первую в России технологию изготовления транзисторов на основе дисульфида молибдена — двумерного полупроводника, который считается одним из главных кандидатов на замену кремния в электронике будущего.
IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon
18 сентября 2020
Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как продолжение представленного ранее семейства 600 В и являются на текущий момент единственным 400 В решением среди изделий данного типа. IGT40R070D1E8220 имеют на борту встроенный внутренний диод (body diode) с нулевым зарядом обратного восстановления (Qrr) и оптимизированы в первую очередь для работы с аудиоусилителями класса D.
Промо Infineon
Особенности:
Напряжение «сток-исток»: 400 В;
Канальное сопротивление Rds(on) = 55 мОм при 25°С (тип. значение);
Средний ток стока Id = 31 А при 25°С;
Нормально закрытые GaN-транзисторы;
Оптимизация для работы с усилителями класса D;
Высокая скорость переключения, низкий уровень шума;
Нулевой заряд обратного восстановления (Qrr);
Малый заряд затвора, низкая выходная емкость.
Области применения:
Аудиоусилители класса D;
Специализированные источники питания.
Пример использования транзисторов IGT40R070D1E8220
Последние новости
