Спец-ЭлектронКомплект

На выставке «Электроника 2018» в Мюнхене компания Winbond Electronics анонсировала дальнейшее развитие семейства микросхем SPI NOR Flash W25Q-ND плотностью 64 Мбит и 128 Мбит напряжением 1,2 В и семейства SLC NAND /SPI NAND Flash на 2 Гбит.

SPI NOR Flash 64Мбит/128Мбит на 1,2 В

В начале 2019 года будут доступны образцы микросхем на 64 Мбит – W25Q64ND, а ближе к концу 2019 года будет выпущена микросхема на 128 Мбит – W25Q128ND. Их образцы будут доступны для заказчиков во всём мире, в том числе и в России.

На сегодняшний день компания Winbond серийно выпускает микросхемы SPI NOR Flash на 1,2 В плотностью 8 Мбит – W25Q80ND.

Показатель энергосбережения микросхем семейства SPI NOR Flash с напряжением 1,2 В в режиме ожидания на 33% превосходит аналогичный показатель у микросхем с напряжением 1,8 В. Это особенно важно для заказчиков, производящих беспроводные и аккумуляторные устройства.

SLC NAND Flash/SPI NAND Flash на 2 Гбит

Первые образцы микросхем SLC NAND Flash на 2 Гбит, выполненные по 32-нм техпроцессу (номер для заказа W29N02KV), уже доступны заказчикам для тестирования. В первой половине 2019 года будут доступны для тестирования образцы SPI NAND Flash на 2 Гбит – W25N02KV.

Микросхемы доступны в индустриальном температурном диапазоне от -40°C до +85°C. Компания Winbond объявила о разработке микросхем SPI NAND Flash с расширенным автомобильным AG2+ (115°C) температурным диапазоном.

Компания Макро Групп является официальным партнером Winbond Electronics Corporation на территории России.

Источник