Спец-ЭлектронКомплект

Fujitsu Semiconductor объявила о разработке 64-килобитной микросхемы сегнетоэлектрического ОЗУ (FRAM) MB85RS64TU. Это первая микросхема в семействе энергонезависимых FRAM фирмы Fujitsu, способная работать при температуре –55 °C – более низкой, чем у всех конкурирующих микросхем памяти. Микросхема уже может поставляться потребителям в промышленных объемах.

Fujitsu - MB85RS64TU

Благодаря ресурсу 10 трлн циклов чтения/записи, гарантированному в полном температурном диапазоне, устройство оптимально для использования в нефте- и газодобывающем оборудовании, эксплуатируемом в условиях чрезвычайно холодного климата. MB85RS64TU может использоваться в промышленных приложениях общего назначения, таких как измерительное оборудование, расходомеры и счетчики.

Примерно в течение 20 лет Fujitsu Semiconductor серийно выпускает энергонезависимые FRAM с высоким быстродействием, большим ресурсом чтения/записи и низкой мощностью потребления. В частности, гарантированное число циклов чтения/записи FRAM составляет 10 трлн, что в 10 млн раз больше, чем у энергонезависимых EEPROM конкурентов. Именно поэтому FRAM, производимые Fujitsu, нашли широкое применение в промышленных приложениях, требующих частой перезаписи информации, таких как регистраторы данных реального времени и трехмерного позиционирования.

MB85RS64TU работает в широком диапазоне напряжений питания от 1.8 В до 3.6 В при максимальной тактовой частоте интерфейса SPI, равной 10 МГц, в диапазоне температур окружающей среды от –55 °C до 85 °C.

Микросхемы FRAM выпускаются в стандартных 8-выводных корпусах SOP (SOIC), что позволяет использовать из для прямой замены EEPROM в аналогичных корпусах. Кроме того, доступны версии приборов в миниатюрных 8-контактных безвыводных корпусах SON (QFN) размером 2.00 мм × 3.00 мм × 0.75 мм. Монтажная поверхность корпуса SON составляет всего 30% от монтажной поверхности корпуса SOP, а монтажный объем – 13%.

Основные характеристики
-Объем (конфигурация): 64 Кбит (8K × 8 бит);
-Интерфейс: SPI;
-Максимальная рабочая частота: 10 МГц;
-Диапазон рабочих напряжений: от 1.8 В до 3.6 В;
-Диапазон рабочих температур: от –55 ° C до +85 °C;
-Количество циклов чтения/записи: 10 трлн (1013);
-Корпуса: 8-выводной SOP, 8-выводной SON.

Источник